Samsung Foundry confirma pedidos de 2 nm de hiperescaladores mientras entran en producción sus primeros chips GAA

Samsung Electronics confirmó, durante la presentación de resultados del tercer trimestre de 2026, que su división de fundición ha asegurado contratos de fabricación con grandes proveedores de nube (CSP) y clientes de computación de alto rendimiento para IA. Es la primera vez que la compañía reconoce de forma oficial que este tipo de clientes se ha comprometido con su proceso avanzado de 2 nm con transistores Gate-All-Around (GAA). Según el artículo de TechTimes, Sukchae Kang, vicepresidente ejecutivo del negocio de fundición, afirmó que habían asegurado proyectos de 2 nm de grandes CSP y clientes de IA y HPC en el tercer trimestre, y que las adjudicaciones de 2 nm habían aumentado de forma notable. Samsung indica además que los pedidos de proyectos de 2 nm se duplicarán en 2026 respecto al año anterior. No se han revelado los nombres de los clientes.

La confirmación llega dentro de un trimestre récord. Samsung registró unos ingresos consolidados de 195,3 billones de wones (unos 145.800 millones de dólares) y un beneficio operativo de 107,44 billones de wones (unos 80.100 millones de dólares) en el trimestre cerrado el 30 de septiembre de 2026. Según el texto, es la primera empresa tecnológica del mundo que supera los 100 billones de wones de beneficio operativo en un solo trimestre. El beneficio operativo se multiplicó por casi nueve en términos interanuales (+783 %, desde 12,2 billones de wones) y el beneficio neto alcanzó 75,13 billones de wones (+515 %).

Esas cifras son casi exclusivamente una historia de memoria. La división Device Solutions (memoria, System LSI y fundición) aportó 147,1 billones de wones en ingresos y 106,5 billones en beneficio operativo, el 99 % del total. La memoria, impulsada por la memoria de alto ancho de banda (HBM) y la DRAM para servidores, marcó récords de ingresos y beneficio, con un crecimiento aproximado del 50 % intertrimestral en los bits enviados de HBM4 según estimaciones de analistas. El resto del negocio no acompañó: la división de electrónica de consumo (móviles, redes, televisores y electrodomésticos) registró una pérdida operativa de unos 800.000 millones de wones, de los cuales unos 600.000 millones corresponden a móviles y redes. El artículo atribuye esto al encarecimiento de los chips de memoria y a la competencia de las marcas chinas de televisores.

El artículo explica qué es el proceso de 2 nm de Samsung (SF2). Utiliza una arquitectura de transistores Gate-All-Around, que rompe con los FinFET de las generaciones de 5 nm y 3 nm: en lugar de que la puerta toque el canal por tres lados, lo rodea por completo, lo que mejora el control electrostático y reduce las fugas de corriente que consumen batería y generan calor. Samsung denomina MBCFET a su implementación de nanohojas, en la que el canal son varias láminas finas de silicio apiladas y rodeadas por el material de la puerta. Samsung fue la primera en comercializar GAA a escala, con su nodo de 3 nm en 2022, unos tres años antes de que TSMC diera el mismo salto con su N2 en 2025.

El problema fue el rendimiento (yield). Al introducir GAA en 3 nm, el rendimiento cayó porque la arquitectura exige más pasos de fabricación, más capas de litografía ultravioleta extrema y más ciclos de deposición y grabado, cada uno con una posible fuente de defectos. Según el medio, el rendimiento de 2 nm llegó a aproximadamente el 60 % a finales de septiembre de 2026, todavía por debajo del 70 % que, según el texto, exigen Qualcomm y la mayoría de diseñadores para comprometer producción de alto volumen, pero muy por encima del nivel inferior al 20 % de finales de 2025. Samsung confirmó que la producción en masa de 2 nm GAA comenzó en el tercer trimestre de 2026, lo que el artículo interpreta como señal de que al menos algunos clientes consideran aceptable el rendimiento efectivo.

El contexto competitivo también pesa. Según Counterpoint Research citada por el artículo, TSMC tiene entre el 72 % y el 73 % del mercado de fundición, y su capacidad de 2 nm más avanzada está comprometida por Nvidia, Apple, AMD y Qualcomm al menos hasta 2028. Además, los precios de lista de las obleas de 2 nm de TSMC serían, según se informa, un 50 % superiores a los de nodos anteriores. Todo ello empuja a hiperscaladores y diseñadores de chips de IA hacia Samsung, descrita como la única alternativa comercialmente viable a TSMC en 2 nm.

A ello se suma la escasez de memoria. Un día antes, SK Hynix declaró en su propia presentación de resultados que su DRAM y HBM están prácticamente vendidas hasta 2029, con un desequilibrio entre oferta y demanda que se prolongaría hasta 2030. Samsung, por su parte, advierte en su documento de resultados de que la demanda de IA superará con creces la oferta de la industria respecto a 2026, y prevé que el mercado de chips siga limitado por la oferta hasta 2028.

Un mecanismo clave de la recuperación de la fundición ha sido la memoria HBM4. Samsung decidió fabricar los dies base de HBM4 en su propio proceso lógico de 4 nm, en lugar de los procesos maduros de clase 12 nm de generaciones anteriores. Eso consume capacidad propia: según el artículo, más de la mitad de su nodo avanzado principal se destina a este componente para su división de memoria. A medida que crece la demanda de HBM4, aumentan los pedidos internos de dies base, lo que llena las fábricas, reduce los costes fijos unitarios y mejora los resultados. Samsung atribuye las mejoras de la fundición al crecimiento de las ventas de dies base HBM, a mayores ventas en nodos avanzados y a la continuidad de pedidos de 2 nm de clientes HPC, incluidos grandes hiperscaladores. El texto subraya la posición inusual de Samsung: vende la memoria, fabrica la lógica dentro de esa memoria y ahora gana pedidos para fabricar los chips lógicos de esos mismos clientes.

A pesar de todo, la fundición siguió en pérdidas operativas en el tercer trimestre, la quinta consecutiva. Samsung lo calificó de esperado: los costes extraordinarios que lastraron trimestres anteriores se redujeron y mejoró la utilización de las fábricas. Para el cuarto trimestre, la compañía prevé iniciar la producción en masa de nuevos productos móviles en su segunda generación de 2 nm (SF2P), que según Samsung ofrece un 26 % más de eficiencia energética que SF2 gracias a la co-optimización de diseño y tecnología, y aumentar la producción completa en 4 nm para un gran cliente no identificado. Apunta a un crecimiento de ingresos de dos dígitos, tanto intertrimestral como interanual.

En Estados Unidos, Samsung se prepara para iniciar a finales de 2026 la construcción de una segunda fábrica en Taylor (Texas), con producción en masa prevista en 2030. La primera fábrica de Taylor comenzaría la producción en masa en 2027 y atendería inicialmente a Tesla, que firmó en julio de 2025 un acuerdo de suministro de chips por 16.500 millones de dólares hasta 2033. Según el artículo, será la primera instalación en EE. UU. con 2 nm a escala comercial, unos dos años antes que la de TSMC en Arizona.

La inversión es elevada. Samsung declaró un gasto de capital acumulado de 56,9 billones de wones en la división de chips durante los tres primeros trimestres de 2026, y espera que el gasto anual de la división alcance 76,8 billones (+62 %). Incluyendo Samsung Display, el total previsto para 2026 es de unos 84,4 billones de wones (unos 63.000 millones de dólares).

La reacción de los inversores fue dividida: las acciones cayeron pese a los resultados récord. Se esperaba una retribución al accionista comparable a la de SK Hynix (unos 75.000 millones de dólares), pero Samsung confirmó un dividendo trimestral de 30 billones de wones (4.601 wones por acción), más de doce veces el de los dos primeros trimestres. El programa completo de retorno al accionista para 2026, estimado entre 90 y 110 billones de wones, se cerrará en un consejo a finales de enero de 2027. En cuanto a la fundición, la rentabilidad, que se esperaba ya en el tercer trimestre, parece más probable en 2027 o 2028.

El artículo cierra con una reflexión sobre la ventaja y el riesgo estructural de Samsung. A diferencia de TSMC, una fundición pura que no compite con sus clientes, Samsung es un fabricante integrado que diseña y vende sus propios productos de memoria y de sistemas en chip. Los hiperscaladores que le confían sus diseños deberán confiar en que no los usará para su propia hoja de ruta, y las salvaguardas que Samsung construya al respecto serán tan importantes como cualquier métrica de rendimiento o eficiencia. Las conversiones de divisas del texto son aproximadas (alrededor de 1.340 wones por dólar). Cabe señalar que el contenido recibido se interrumpe antes del final, por lo que este resumen se basa solo en la parte disponible del artículo.