SK hynix presenta en la conferencia OIP de TSMC su portafolio de memoria de nueva generación para la era de la IA

SK hynix participó en la conferencia Open Innovation Platform (OIP) de TSMC, celebrada el 23 de septiembre en Santa Clara, California, donde presentó su portafolio de memoria de próxima generación —HBM, DRAM para servidores y SSD— y recibió por segundo año consecutivo el premio Partner of the Year de TSMC. OIP es la plataforma de innovación abierta que TSMC opera para desarrollar tecnología junto a las empresas que forman el ecosistema de semiconductores; cada año, en el segundo semestre, TSMC invita a sus miembros y grandes clientes a foros de ecosistema celebrados en distintas partes del mundo. SK hynix participa en estos foros desde 2024, mostrando la evolución de sus capacidades en memoria orientada a IA fruto de su alianza estratégica con TSMC.

El lema elegido por SK hynix para su stand fue 'The Memory behind the Intelligence at Scale' ('La memoria detrás de la inteligencia a escala'), un mensaje que buscaba subrayar que el crecimiento y la expansión de la IA dependen del respaldo de la tecnología de memoria. La compañía explicó que, en el ecosistema actual de semiconductores para IA, la colaboración entre empresas es más estrecha que nunca: se ha pasado de una etapa en la que diseño y fabricación, o memoria y lógica, se optimizaban por separado, a un modelo en el que las compañías diseñan y validan conjuntamente desde las primeras fases de desarrollo.

El expositor se organizó en dos áreas principales: una dedicada a HBM (High Bandwidth Memory) y otra a memoria y almacenamiento optimizados para IA. En la zona de HBM se exhibió el superchip 'Vera Rubin' de NVIDIA equipado con HBM4 de 12 capas y 36GB de SK hynix, junto con módulos SOCAMM2 de 96GB, un tipo de módulo de memoria especializado para servidores de IA basado en DRAM de bajo consumo. Según la explicación ofrecida en el stand, el HBM4 de 12 capas se integra directamente alrededor del núcleo de la GPU Rubin, actuando como vía de datos de alto ancho de banda que resuelve la latencia de transferencia que surge en operaciones matriciales complejas, mientras que el SOCAMM2 funciona como memoria principal del sistema para la CPU Vera, dando soporte a los procesos computacionales que permiten que los agentes de IA reflejen de inmediato el contexto de conversaciones largas en sus respuestas.

Junto al superchip se mostraron, además, otros productos clave de la gama HBM: el HBM4E de 12 capas y 48GB, el HBM4 de 16 capas y 48GB, y el HBM3E de 12 capas y 36GB, junto con una unidad real de SOCAMM2 de 192GB. La empresa señaló que HBM ha avanzado por generaciones sucesivas —HBM, HBM2, HBM2E, HBM3, HBM3E y HBM4— y que esta comparación entre productos ya integrados en aceleradores de IA y la próxima generación permitía a los visitantes apreciar de primera mano esa evolución.

En el área dedicada a DRAM para servidores, SK hynix mostró el módulo '3DS RDIMM' de 256GB, con la que la compañía describe como la mayor capacidad de la industria adaptada a cargas de trabajo de IA, junto con el 'MRDIMM' de 128GB, de alto ancho de banda al operar simultáneamente dos rangos, y el 'RDIMM' de 64GB, que según la compañía es el primero del mundo en aplicar un proceso de clase 10 nanómetros de sexta generación (1c). En la zona de SSD se exhibió una gama que cubre distintos factores de forma y entornos de uso: el 'PEB210 E1.S', compatible con refrigeración líquida directa (DLC) y que despertó fuerte interés entre operadores de centros de datos; el 'PS1101 E3.S', primer eSSD de SK hynix basado en NAND QLC, que generó un flujo constante de consultas de clientes empresariales; y el 'PEB210 M.2'.

El premio Partner of the Year fue recogido en nombre de SK hynix por el jefe de equipo Jinwoo Park (PKG Product TE) y el vicepresidente Jaesik Lee (responsable de Investigación de Empaquetado Avanzado), en la categoría '3DFabric-HBM Integration'. El reconocimiento se otorgó por la colaboración que permitió validar HBM5 sobre la base de la tecnología de empaquetado avanzado CoWoS de TSMC (Chip on Wafer on Substrate, usada para integrar chips como HBM y GPU en un mismo sustrato) con vistas a los futuros sistemas de IA. SK hynix explicó que, a medida que el HBM avanza en número de capas y ancho de banda, aprovechar plenamente esas mejoras exige una coordinación estrecha con la tecnología de empaquetado que lo integra en un acelerador real, y que su organización de desarrollo de empaquetado trabajó junto a TSMC desde las primeras etapas de validación.

En la sesión de presentaciones, Daesik Park, ingeniero distinguido en diseño de PCIe en SK hynix, intervino como segundo ponente en una presentación conjunta con Cadence bajo el título 'PCI Express Solutions for HPC/AI Storage'. Park explicó que, desde la cuarta generación de PCIe, cada nueva generación llega cada dos o tres años duplicando el ancho de banda, y que a partir de la sexta generación cobran especial relevancia la optimización de la energía y la colaboración entre diseño y proceso de fabricación. Señaló también que, a medida que surgen nuevas capas de memoria —incluida HBM y HBF (High Bandwidth Flash, una memoria NAND de nueva generación que se plantea como capa intermedia entre HBM y SSD, y que aplicando un proceso lógico en el die base ofrecería mucha mayor capacidad que HBM con un ancho de banda y coste comparables)— PCIe se consolida como la interfaz clave que conecta esas capas con GPU, CPU y redes.

Sobre las proyecciones de mercado, Park indicó que se espera que el mercado de eSSD basado en PCIe crezca alrededor de 3,8 veces, pasando de 509 exabytes (EB) en 2026 a 1.933 EB en 2030, impulsado por la expansión de la infraestructura de IA, y que la demanda de alta capacidad, alta densidad y eficiencia de refrigeración hará crecer rápidamente la demanda de los factores de forma E1.S y E3. Añadió que SK hynix ha desarrollado controladores de SSD utilizando procesos de TSMC desde la tercera generación de PCIe, y que para las generaciones sexta y séptima la compañía prepara soluciones de SSD de nueva generación basadas en chiplets: un diseño que separa el controlador de chip único convencional en unidades de chiplet conectadas mediante UCIe (Universal Chiplet Interconnect Express), lo que se espera permita tiempos de desarrollo más cortos, transiciones generacionales independientes por función, ampliación de capacidad y optimización energética.

En su declaración final, SK hynix afirmó que, al ganar el premio Partner of the Year por segundo año consecutivo en esta conferencia OIP, ha vuelto a confirmar los resultados de la colaboración construida con TSMC, y que continuará trabajando estrechamente con diversos socios para crear las soluciones de memoria que exige la era de la IA.