IBM apila transistores hacia arriba: el chip 'nanostack' que promete diez años más de progreso

🕒 Publicado en Zendoric: 26 de junio de 2026 · 09:00
Con un prototipo de unos 100.000 millones de transistores en el área de una uña, IBM propone construir en vertical lo que ya no cabe en horizontal. Si la industria lo lleva a producción, la Ley de Moore tendría cuerda para una década más.
Durante medio siglo, el progreso de la informática descansó sobre un gesto repetido: hacer los transistores más pequeños. La Ley de Moore nunca fue una ley física, sino una promesa de la industria que se cumplía encogiendo interruptores cada dos años. El problema es que esa promesa chocó hace tiempo contra un muro de física cuántica: por debajo de ciertas dimensiones, los electrones dejan de comportarse de forma predecible. El anuncio de IBM del 25 de junio, recogido por Sophia Chen en MIT Technology Review, no rompe ese muro; lo rodea con una idea tan vieja como el urbanismo. Si no queda suelo, se construye en altura.
La arquitectura, bautizada internamente como 'nanostack', apila capas de transistores unas sobre otras dentro de la misma pastilla de silicio mediante una tecnología CFET (transistor de efecto de campo complementario). El proceso, descrito por la compañía como una tarta de capas, fabrica una planta de transistores, deposita silicio encima, levanta la siguiente y conecta ambas eléctricamente. El detalle más ingenioso es que las dos capas no quedan exactamente superpuestas, sino escalonadas: ese desplazamiento lateral, según IBM, simplifica el cableado interno y facilita la fabricación. Qing Cao, de la Universidad de Illinois, subraya que el verdadero salto no está en el concepto —otros ya apilan—, sino en lograrlo sobre una oblea completa en una línea de producción avanzada, y no en una muestra de laboratorio.
Conviene un poco de higiene terminológica que el propio artículo agradece. La etiqueta '0,7 nanómetros' es marketing, no medida: la distancia entre transistores lleva tiempo estabilizada en torno a 40 nanómetros. Lo que sí es físicamente verificable es la finura de los canales por los que circulan los electrones, formados por tres láminas de silicio de quince átomos de grosor separadas nueve nanómetros. Distinguir la cifra comercial del dato real no es pedantería: es la diferencia entre entender la tecnología y comprar el eslogan.
Las cifras de rendimiento que ofrece IBM —hasta un 50 % más de trabajo en el mismo tiempo y hasta un 70 % más de eficiencia energética frente a su arquitectura anterior— son, por ahora, promesas de fabricante que habrá que ver confirmadas en silicio comercial. Pero el ángulo más interesante es energético. Jay Gambetta, director de IBM Research, sitúa el despliegue masivo en centros de datos dentro de una década, y ahí la eficiencia deja de ser una métrica de catálogo para convertirse en una necesidad. Con la demanda de cómputo para IA disparada, cada vatio ahorrado por transistor es una palanca real sobre la factura eléctrica y la huella ambiental de la infraestructura.
Merece prudencia un punto clave: IBM presenta un prototipo y anuncia que buscará socios fabricantes para la producción en masa. El historiador de la tecnología sabe que entre la demostración funcional y el chip que llega al mercado hay un trecho lleno de problemas de rendimiento, coste y escalado. Que Intel, Samsung y TSMC persigan la misma dirección confirma que el camino vertical es el consenso de la industria, pero también recuerda que IBM compite por liderar una transición, no por monopolizarla.
Dan Hutcheson, de TechInsights, lo califica de 'transformador' y habla de 'diez o quince años más en la hoja de ruta'. Aun descontando el entusiasmo natural de un analista, la idea de fondo es sólida y francamente alentadora: el progreso de los semiconductores no se ha terminado, simplemente ha cambiado de eje. La creatividad de la ingeniería ha vuelto a encontrar una salida donde la física parecía cerrar la puerta. Y eso, para una industria que vive bajo la sombra del fin de Moore desde hace años, es una noticia que invita a un optimismo medido.